รายละเอียดสินค้า:
การชำระเงิน:
|
| เกรด:: | Mo80Cu20, Mo75C25, Mo70Cu30, Mo60Cu40, Mo50Cu50 | พื้นผิว:: | ความหยาบผิวต่ำ |
|---|---|---|---|
| ขนาด:: | ตามความต้องการลูกค้า | ชุบ:: | การชุบนิกเกิลและการชุบทอง |
| รูปร่าง:: | ชิ้นส่วนที่ถูกประทับตราชิ้นส่วนกลึงหรือแผ่นเปล่า | ||
| แสงสูง: | องค์ประกอบโมลิบดีนัม,mocu |
||
ควบคุมขนาดอย่างเข้มงวด 80Mo20Cu ด้วยนิกเกิลและชุบทองสำหรับระบบเรดาร์ในการสื่อสารโทรคมนาคม
รายละเอียด:
ด้วยการพัฒนาเทคโนโลยีมีความต้องการพลังงานที่สูงขึ้นในส่วนประกอบไมโครอิเล็กทรอนิกส์ขนาดเล็ก สิ่งนี้ยังเพิ่มข้อกำหนดสำหรับการกระจายความร้อน
สำหรับส่วนประกอบที่ละเอียดอ่อนการใช้คอมโพสิตโลหะเช่นวัสดุทองแดงโมลิบดีนัมเป็นทางเลือกที่ชาญฉลาด
กรณีศึกษา:
หากคุณเป็นนักออกแบบเราสามารถให้คำแนะนำว่าวัสดุใดที่เหมาะกับคุณ
หากคุณเป็นเทรดเดอร์เราสามารถรู้ว่าคุณพลาดอะไรไปแล้วและให้ข้อมูลเพิ่มเติมที่คุณต้องการ
หากคุณทำการตัดเฉือนและชุบเราจะให้วัสดุที่ถูกต้องและคุณสามารถใช้งานได้โดยตรงและไม่ต้องกังวลกับขั้นตอนต่อไป
เราเสนอผู้ให้บริการแท็บหรือเว้นวรรคสำหรับโมดูล ขึ้นอยู่กับการออกแบบโครงสร้างที่แตกต่างกันกระบวนการผลิตจะแตกต่างกัน
คุณสมบัติผลิตภัณฑ์:
| เกรด | เนื้อหาโม | ความหนาแน่น g / cm 3 | ค่าสัมประสิทธิ์ความร้อน การขยายตัว× 10 -6 (20 ℃) | การนำความร้อน W / (M · K) |
| 70MoCu | 70 ± 2% | 9.8 | 7 | 200 (25 ℃) / 196 (100 ℃) |
| 60MoCu | 60 ± 2% | 9.66 | 7.5 | 222 (25 ℃) / 217 (100 ℃) |
| 50MoCu | 50 ± 2% | 9.5 | 10.2 | 250 (25 ℃) / 220 (100 ℃) |
การประยุกต์ใช้:
โมลิบดีนัมทองแดงถูกใช้ในด้านต่าง ๆ เช่นออปโตอิเล็กทรอนิกส์การใช้งานความถี่สูงอิเล็กทรอนิกส์กำลังและไมโครอิเล็กทรอนิกส์
ในภาคเหล่านี้พวกเขามักจะใช้ในองค์ประกอบด้านล่างเช่น:
ทรานซิสเตอร์ GaN / GaAs
แพ็คเกจเซรามิกที่ใช้ในไมโครเวฟและ RF
ส่วนประกอบในสถานีฐานวิทยุโทรคมนาคม
LED กำลังสูง
โมดูล IGBT สำหรับ EV / HEV และหม้อแปลงที่อยู่กับที่
