|
รายละเอียดสินค้า:
การชำระเงิน:
|
| วัสดุ: | W90Cu10, W85Cu15, W80Cu20, W75Cu25, W70Cu30 | ความหนาแน่น: | 14.9 |
|---|---|---|---|
| CTE: | 9.0 | TC: | 220 |
| ใบสมัคร: | แผงวงจรสำหรับบรรจุภัณฑ์โลหะ | ||
| แสงสูง: | ทังสเตนกระจายความร้อนทองแดง,ฐานความร้อนโมลิบดีนัมทองแดง |
||
ทังสเตนวงจรฐานทองแดงวงจรสุญญากาศแพคเกจอิเล็กทรอนิกส์สำหรับแพคเกจโลหะ
การนำความร้อนที่ดีทังสเตนวงจรฐานทองแดงสำหรับแพคเกจโลหะ
รายละเอียด:
ทองแดงทังสเตนเป็นส่วนประกอบของทังสเตนและทองแดง สัมประสิทธิ์ของการขยายตัวทางความร้อน (CTE) ของคอมโพสิตสามารถเลิกใช้โดยการควบคุมเนื้อหาของทังสเตนจับคู่กับวัสดุเช่นเซรามิก (Al2O3, BeO), เซมิคอนดักเตอร์ (Si), โลหะ (Kovar) ฯลฯ
ข้อดี:
1. การนำความร้อนสูง
2. สุญญากาศที่ยอดเยี่ยม
3. ความเรียบที่ดีเยี่ยมพื้นผิวและการควบคุมขนาด
4. ผลิตภัณฑ์กึ่งสำเร็จรูปหรือสำเร็จรูป (Ni / Au plated)
5. ช่องว่างต่ำ
คุณสมบัติผลิตภัณฑ์:
| เกรด | เนื้อหา W | ความหนาแน่น g / cm 3 | ค่าสัมประสิทธิ์ความร้อน การขยายตัว× 10 -6 (20 ℃) | การนำความร้อน W / (M · K) |
| 90WCu | 90 ± 2% | 17.0 | 6.5 | 180 (25 ℃) / 176 (100 ℃) |
| 85WCu | 85 ± 2% | 16.4 | 7.2 | 190 (25 ℃) / 183 (100 ℃) |
| 80WCu | 80 ± 2% | 15.65 | 8.3 | 200 (25 ℃) / 197 (100 ℃) |
| 75WCu | 75 ± 2% | 14.9 | 9.0 | 230 (25 ℃) / 220 (100 ℃) |
| 50WCu | 50 ± 2% | 12.2 | 12.5 | 340 (25 ℃) / 310 (100 ℃) |
การประยุกต์ใช้:
1. ใช้เป็นทนต่ออุณหภูมิสูงในผลิตภัณฑ์อิเล็กทรอนิกส์และเครื่องยนต์อัตโนมัติ เช่นเดียวกับคอมพิวเตอร์สร้างความร้อนจำนวนมากซึ่งส่งผลให้ความเร็วช้าลงแผ่นระบายความร้อนโลหะผสมทังสเตนสามารถแก้ปัญหานี้ได้
2. ใช้ในแอพพลิเคชั่นเช่นแพ็คเกจออปโตอิเล็กทรอนิกส์, แพ็คเกจไมโครเวฟ, แพ็คเกจ, เลเซอร์ติดตั้งเป็นต้น
3. ใช้เป็นแผ่นระบายความร้อนและห่อหุ้มเปลือก
4. ใช้ในการติดตั้งแผ่นความร้อน, ผู้ให้บริการชิป, หน้าแปลนและเฟรมสำหรับ RF, คลื่นไมโครเวฟแพคเกจคลื่นเช่น LDMOS FET; MSFET; HBT; ไบโพลาร์; HEMT; MMIC, ไดโอดเปล่งแสงและเครื่องตรวจจับ, แพ็คเกจเลเซอร์ไดโอดเช่นพัลส์, CW, อีซีแอลเดี่ยว, บาร์และผู้ให้บริการที่ซับซ้อนสำหรับเครื่องขยายสัญญาณออปโตอิเล็กทรอนิกส์, เครื่องรับ, เครื่องส่งสัญญาณ, เลเซอร์ที่ปรับได้
ภาพสินค้า: 
